1.潔凈室內(nèi)溫濕度的控制。

潔凈空間的溫濕度主要根據(jù)工藝要求確定，但在滿足工藝要求的情況下，應考慮人的舒適性。隨著空氣清潔度要求的提高，工藝對溫濕度的要求越來越嚴格。

未來將列出具體工藝的溫度要求，但作為一般原則，由于加工精度越來越精細，對溫度波動范圍的要求越來越小。例如，在大型集成電路的光刻曝光過程中，對玻璃和硅片的熱膨脹系數(shù)的要求越來越小。

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硅片直徑100um，溫度升高1度，導致0.24um線性膨脹。因此，必須有±0.1度恒溫，濕度值一般較低，因為出汗會污染產(chǎn)品，特別是害怕鈉的半導體車間，不得超過25度。

濕度過高會導致更多的問題。當相對濕度超過55%時，冷卻水管壁會結(jié)露。如果發(fā)生在精密裝置或電路中，會造成各種事故。當相對濕度為50%時，很容易生銹。此外，當濕度過高時，附著在硅片表面的灰塵會通過空氣中的水分子化學吸附在表面，難以去除。

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相對濕度越高，附著力越難去除。但當相對濕度低于30%時，由于靜電的作用，顆粒容易吸附在表面，大量半導體器件容易穿透。硅片生產(chǎn)的溫度范圍為35-45%。

2.潔凈室氣壓規(guī)定。

對于大多數(shù)清潔空間，為了防止外部污染，內(nèi)部壓力（靜壓）高于外部壓力（靜壓）。壓差的維護一般應符合以下原則：

1）.潔凈空間的壓力高于非潔凈空間。

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2）.清潔度高的空間壓力高于相鄰清潔度低的空間壓力。

3）.相通潔凈室之間的門應開到潔凈度高的房間。

壓差的維持取決于新風量，可以補償壓差下間隙泄漏的風量。因此，壓差的物理意義是通過潔凈室各種間隙泄漏（或滲透）的阻力。